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深紫外LED灯珠的光效和功耗表现受多个因素影响：
光效：深紫外LED的光效取决于其光电转换效率，这与芯片制造过程中氮化物材料外延和掺杂技术的进步有关。通过优化EBL解决电子泄露问题、有源区设计提高辐射复合率，以及设计垂直电导结构，可以提高内量子效率和出光效率
功耗：深紫外LED相比传统汞灯紫外线产品具有体积小、功耗低的优势。它们的能量转换效率较高，大部分输入能量转化为紫外线辐射。通过准确的电流控制和电压调节，可以使LED在工作条件下运行，从而提高发光效率
散热设计：深紫外LED的散热性能直接影响其光效。通过优化LED的散热结构，如增加散热面积、采用散热材料，以及采用共晶键合、氮化铝陶瓷基板等方法，可以减少LED的工作温度，提高器件的整体出光效率
封装技术：深紫外LED的封装技术也会影响其光效和功耗。采用石英玻璃、蓝宝石等无机透明材料来封装深紫外LED，可以提高深紫外LED的光效和可靠性。同时，采用多道密封封装工艺，不仅保证了芯片工作的高气密环境，同时在复杂环境的耐受性也大幅提高
光电性能：大功率深紫外LED灯珠的单器件光输出功率在275nm条件下可达10mW，2cm照射距离下光功率密度超过200μW/cm2，显示出的光电性能
应用效能：深紫外LED（波长为265～280 nm）外量子效率不足5%，这影响了其应用效能。但随着技术的发展，深紫外LED的光效和可靠性在不断提高。
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