在科技高速发展的当下，紫外 LED
光源凭借其节能、环保等优势，被广泛应用于医用、印刷、杀|菌等多个领域。要了解这类光源的工作方式，还需从其发光原理和核心技术说起。
紫外 LED 光源的发光基于半导体的电致发光效应。其核心部件是由氮化镓(GaN)等化合物半导体材料制成的 PN 结。当向 PN
结施加正向电压时，电子和空穴分别从 N 型半导体和 P
型半导体注入到有源区，在那里，电子与空穴复合，以光子的形式释放出能量。通过准确控制半导体材料的成分和结构，就能够发射特定波长的紫外线。
在核心技术方面，材料生长技术对紫外 LED 的性能起着决定性作用。高质量的氮化镓外延片是获得紫外 LED
的基础，金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术是目前生长氮化镓外延层的主流方法。通过准确控制反应气体的流量、温度等参数，实现高质量氮化镓薄膜的生长。
芯片制造技术同样至关重要。芯片制造过程中，光刻、蚀刻等工艺对芯片的性能影响极大。为提高紫外 LED
的发光效率，科学家通过优化芯片的结构，如采用多量子阱结构，增加电子与空穴的复合概率，从而提升发光效率。
封装技术也是关键环节，合适的封装材料和结构不仅能保护芯片，还能提高出光效率。通过采用高透光率的封装材料，减少光线在封装过程中的损失，让紫外 LED
光源发挥出更大的价值。
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