深紫外LED灯珠原理与特性
1、深紫外LED灯珠发光机理:PN结的端电压构成一定势垒,当加正向偏置电压时势垒下降,P区和N区的大都载流子向对方分散。由于电子迁移率比空穴迁移率大得多,所以会出现大量电子向P区分散,构成对P区少数载流子的注入。这些电子与价带上的空穴复合,复合时得到的能量以光能的形式开释出去。这便是PN结发光的原理。
深紫外LED灯珠线光源固化设备
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2、深紫外LED灯珠发光功率:一般称为组件的外部量子功率,其为组件的内部量子功率与组件的取出功率的乘积。所谓组件的内部量子功率,其实便是组件自身的电光转换功率,主要与组件自身的特性(如组件资料的能带、缺点、杂质)、组件的垒晶组成及结构等相关。而组件的取出功率则指的是组件内部产生的光子,在通过组件自身的吸收、折射、反射后,实际在组件外部可测量到的光子数目。因而,关于取出功率的要素包括了组件资料自身的吸收、组件的几何结构、组件及封装资料的折射率差及组件结构的散射特性等。而组件的内部量子功率与组件的取出功率的乘积,便是整个组件的发光效果,也便是组件的外部量子功率。早期组件发展会集在进步其内部量子功率,主要办法是通过进步垒晶的质量及改动垒晶的结构,使电能不易转换成热能,进而间接进步深紫外LED灯珠的发光功率,从而可获得70%左右的理论内部量子功率,但是这样的内部量子功率几乎现已挨近理论上的极限。在这样的情况下,光靠进步组件的内部量子功率是不可能进步组件的总光量的,因而进步组件的取出功率便成为重要的研究课题。现在的办法主要是:晶粒外型的改动——TIP结构,表面粗化技能。
3、深紫外LED灯珠电气特性:电流控制型器材,负载特性相似PN结的UI曲线,正向导通电压的极小改变会引起正向电流的很大改变(指数级别),反向漏电流很小,有反向击穿电压。在实际使用中,应挑选 。深紫外LED灯珠正向电压随温度升高而变小,具有负温度系数。深紫外LED灯珠耗费功率 ,一部分转化为光能,这是我们需求的。剩下的就转化为热能,使结温升高。散发的热量(功率)可表示为 。
4、深紫外LED灯珠光学特性:深紫外LED灯珠提供的是半宽度很大的单色光,由于半导体的能隙随温度的上升而减小,因而它所发射的峰值波长随温度的上升而增长,即光谱红移,温度系数为+2~3A/ 。深紫外LED灯珠发光亮度L与正向电流。电流增大,发光亮度也近似增大。别的发光亮度也与环境温度有关,环境温度高时,复合功率下降,发光强度减小。
5、深紫外LED灯珠热学特性:小电流下,LED温升不明显。若环境温度较高,深紫外LED灯珠的主波长就会红移,亮度会下降,发光均匀性、一致性变差。特别点阵、大显示屏的温升对LED的可靠性、稳定性影响更为显著。所以散热规划很要害。
6、深紫外LED灯珠寿数:深紫外LED灯珠的长时间工作会光衰引起老化,特别对大功率深紫外LED灯珠来说,光衰问题愈加严重。在衡量深紫外LED灯珠的寿数时,仅仅以灯的损坏来作为深紫外LED灯珠寿数的结尾是远远不够的,应该以深紫外LED灯珠的光衰减百分比来规则LED的寿数,比如35%,这样更有意义。
7、大功率深紫外LED灯珠封装:主要考虑散热和出光。散热方面,用铜基热衬,再连接到铝基散热器上,晶粒与热衬之间以锡片焊作为连接,这种散热方式效果较好,性价比较高。出光方面,采用芯片倒装技能,并在底面和侧面添加反射面反射出糟蹋的光能,这样可以获得更多的有消出光。