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深紫外LED灯珠发光原理与发展前景介绍

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深紫外LED灯珠发光原理与发展前景介绍

发布日期:2018-05-23 00:00:00 作者:鑫优威 点击:0


在这么多品种的灯珠中,由于深紫外的光通量值是较小的,所以深紫外LED灯珠是比较贵的一种LED,深紫外不只能够验证人民币的真假,还能够起到灭菌消毒的成效,下面就让蓝晋光电带我们了解一下吧。


  深紫外LED灯珠发光原理与翻开远景介绍


 深紫外LED灯珠发光原理


 深紫外发光二极管是指能宣告近深紫外光的一种发光二极管(led)。它的发光原理同一般发光二极管相同。


 50年前人们现已了解半导体资料可发生光线的根柢常识,第一个商用二极管发生于1960年。led是英文light emitting diode(发光二极管)的缩写。


 它的根柢结构是一块电致发光的半导体资料,置于一个有引线的架子上,然后四周用环氧树脂密封,起到保护内部芯线的作用,所以led的抗震功用好。发光二极管的中心部分是由p型半导体和n型半导体组成的晶片,在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层,称为pn结。在某些半导体资料的pn结中,注入的少数载流子与大都载流子复合时会把剩下的能量以光的方法释放出来,从而把电能直接转换为光能。pn结加反向电压,少数载流子难以注入,故不发光。这种运用注入式电致发光原理制造的二极管叫发光二极管,通称led。当它处于正向作业情况时(即两头加上正向电压),电流从led阳极流向阴极时,半导体晶体就宣告从深紫外到红外不同色彩的光线,光的强弱与电流有关。


  深紫外LED灯珠技术特征


  1)5mm的深紫外均选用玻璃封装、镀镍的合金外壳,进一步跋涉了深紫外的发光功率、降低了深紫外的衰减,延长了运用寿数。


  2)2个引脚均选用镀金技术。


  3)发光强度高。


  4)质量安稳、牢靠。


  深紫外LED灯珠光源波长


  1、紫色 :405nm - 纯紫色  400nm - 深紫色


  2、近深紫外线光 395nm -带微红的深紫色  uv-a 型深紫外线光


  3、370nm -几乎是不可见光,受木质玻璃滤光时显现出一个暗深紫色。


  4、深紫外光(uv)灭菌灯 λρ=254nm 或 253.7nm


  点光源 λρ=365nm 臭氧构成 λρ=185nm 以下  --真空深紫外线(uv-v),波长为 100-200nm  --短波深紫外线(uv-c),波长为 200-280nm  --中波深紫外线(uv-b),波长为 280-315nm  --长波深紫外线(uv-a),波长为 315-380nm  ——可见光(visible light),波长为 400—760nm。


深紫外LED灯珠发光原理与打开前景介绍


  深紫外LED灯珠研制案例


  美国科学家成功制造出波长255nm、功率0.57w以及波长250nm、功率0.16w的深紫外发光二极管(led)。该组件现在没有封装,该研讨小组希望藉由覆晶接合(flip-chip bonding)能将功率等级跋涉3到5倍。此波段的极深深紫外光(ultradeep ultraviolet, uduv)光源未来可能替代水银灯泡,作为生物与化学传感器的激起光源。


 南卡罗来纳大学的asif khan等人生长出含铝量高达72﹪的高品质algan层,并以它们做为发光二极管结构中的批覆层(cladding),用来制造uduv组件。研讨人员选用蓝宝石做为led基板,堆积的第一层是aln缓冲层,接着是十层的aln/algan超晶格(superlattice),接着是厚度1.4微米的al0.72ga0.28n批覆层。该小组标明,选用铝含量72﹪的algan层是为了使资料在波长250nm时资料仍为透明,这一层是选择组件功用的要害。作业区(active region)包括3个量子井(quantum wells),改动铝含量可使发射波长在250至200nm之间做调整。研讨人员在脉冲偏压条件(pulsed biased conditions)下测试了波长为255nm的200平方微米的组件以及波长为250nm的150平方微米的组件,两者的尖峰输出功率对应的激起电流分别为200ma与300ma,射极(emitter)的外部量子功率(external quantum efficiencies)分别为0.015﹪及0.01﹪。


  深紫外LED灯珠运用范畴


  深紫外发光二极管广泛运用于:金属裂缝、裂纹的检测,光触媒光源,验钞点钞设备,防伪作业,及医疗丈量和生物核算安全性检测,液压检漏等等范畴。


  深紫外LED灯珠翻开远景


  波长在220nm至350nm之间的高功率深深紫外线发光二极管在灭菌、清水、医疗、高密度光纪录、高显色性led照明以及高速分解处理公害物质等范畴有广泛运用。迄今为止,深深紫外线光源以准分子激光和各种倍频激光等气体和固体为前语的深紫外激光和气体灯为干流,可是存在体积大、寿数短、价格高的缺点,难以实践运用。而运用半导体的高亮度深紫外led和深深紫外线ld,能够结束小型化,得到廉价、高效和长寿数的深紫外光源,运用远景更加宽广。


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